IKW75N65EL5 IGBT transistor MOS pour applications de puissance
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Description de IKW75N65EL5 IGBT transistor MOS pour applications de puissance
Transistor de Puissance IKW75N65EL5 pour Électronique Industrielle
Le IKW75N65EL5 se positionne comme un composant incontournable pour les concepteurs de circuits de puissance. Ce transistor hybride intègre les technologies MOS et IGBT pour offrir une commutation rapide et une robustesse thermique exceptionnelle dans un boîtier standardisé.
Performance Énergétique Optimisée
Grâce à sa conception avancée, ce module réduit drastiquement les pertes en commutation. L'avantage direct pour votre système est une baisse significative de la dissipation thermique, ce qui augmente le rendement global de vos convertisseurs d'énergie et prolonge la durée de vie de vos installations photovoltaïques ou industrielles.
Caractéristiques Techniques Essentielles
| Paramètre | Valeur Spécifiée |
|---|---|
| Référence | IKW75N65EL5 |
| Type de Technologie | MOS IGBT Coupe-circuit |
| Tension Maximale Vces | 650 V |
| Courant Collecteur Ic | 75 A |
| Configuration | Monolithique avec diode |
Scénarios d'Application Courants
Ce composant est particulièrement adapté pour la réparation et la fabrication de :
- Onduleurs solaires de moyenne et haute puissance.
- Variateurs de vitesse pour moteurs électriques industriels.
- Alimentations sans interruption (ASI/UPS) pour serveurs.
- Systèmes de soudage à l'arc électronique.
Détails
| OPC | s5_AB0FTVHRMMZ |
|---|---|
| Référence produit | s5_AB0FTVHRMMZ |
| Marque | |
| Prix | 17,95 € |
| Prix habituel |
|
| Remise | 76% |
| Note | 4.5 / 5.0 |
| Disponibilité | En stock (100+ disponibles) |
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