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Fiche Technique : Module IGBT 200GAL123D Haute Puissance
Ce document présente les caractéristiques du module IGBT 200GAL123D, un élément central pour l'assemblage et la réparation des circuits de puissance. Combinant les technologies IGBT et thyristor, ce composant électronique est dimensionné pour supporter des contraintes électriques sévères au sein des environnements d'ingénierie moderne.
Analyse des Performances Électroniques
Le module se distingue par une tension de déchet particulièrement basse, ce qui optimise le rendement global du circuit. L'isolation électrique entre les bornes de commande et la semelle de fixation métallique permet une installation directe sur des refroidisseurs en aluminium sans risque de court-circuit.
Tableau de Synthèse Technique
| Paramètre Global | Spécification Nominale |
|---|---|
| Code Produit | 200GAL123D |
| Type Structurel | IGBT avec Thyristor Intégré |
| Application Finale | Variateur, Onduleur, Commutateur |
| Mode de Fixation | Boulonnage direct |
Bénéfices pour l'Intégrateur
L'utilisation de ce module unifié réduit l'encombrement global à l'intérieur des boîtiers électriques. Au lieu d'associer plusieurs composants discrets, le technicien dispose d'une unité compacte pré-configurée. Cela simplifie le câblage, limite les inductances parasites et améliore considérablement la fiabilité thermique du montage final lors des phases de fonctionnement continu.
